MMIX1T500N20X4 Leistungs-Si-MOSFET

Eigenschaften

• Sperrspannung von VDSS = 200 V mit niedrigem RDS(on) = 1,99 mΩ
• Hohe Strombelastbarkeit ID25 = 480 A
• DCB-basiertes isoliertes Gehäuse
• Kompaktes Design mit hoher Leistungsdichte
• Fortschrittliche oberseitig gekühlte Verpackung

Vorzüge

• Niedrige Leitungsverluste und reduzierte Wärmeableitung
• Unterstützt Hochleistungsanwendungen mit weniger parallelen Geräten
• Reduzierter Gesamtwärmewiderstand RthJS
• Geringes Gewicht und einfache Montage
• Reduzierter Aufwand für das Wärmemanagement